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三星80纳米DDR2内存生产

由管理员撰写。发表于 硬件新闻

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压住他
杰克写道:借助80纳米工艺技术,三星能够将其生产效率比以前的90纳米工艺提高50%。转向80纳米工艺技术所带来的规模生产效益将更好地使该公司满足对DDR2不断增长的需求。

三星能够从90纳米工艺平稳过渡到80纳米工艺技术,因为它利用了90纳米几何形状的许多基本特征,因此对生产线的升级要求最小。

通过使用凹槽通道阵列晶体管(RCAT),加速了向80 nm电路的迁移。这种三维晶体管布局极大地提高了刷新率,刷新率是数据存储中的关键要素。三星的RCAT还减少了单元区域的覆盖范围,从而通过释放用于每个晶片的芯片的空间来增加工艺规模。

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